CN110970439A 半导体器件及其制造方法 （三星电子株式会社）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110970439A

(43)申请公布日2020.04.07

(21)申请号201910911522.X

(22)申请日2019.09.25

(30)优先权数据

10-2018-01168042018.10.01KR

(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道

(72)发明人朴玄睦

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105

代理人屈玉华

(51)Int.Cl.

H01L27/11519(2017.01)

H01L27/11524(2017.01)

H01L27/11556(2017.01)

H01L27/11565(2017.01)

H01L27/1157(2017.01)

H01L27/11582(2017.01)

权利要求书4页说明书21页附图26页

(54)发明名称

半导体器件及其制造方法

(57)摘要

CN110970439A半导体器件包括第一和第二基板结构。第一基板结构包括：基底基板；在基底基板上的电路元件；在电路元件上的第一基板；在第一基板上并电连接到电路元件的第一存储单元；在第一存储单元上并连接到第一存储单元的第一位线；和在第一位线上以分别连接到第一位线的第一接合焊盘。第二基板结构包括：第二基板；在第二基板上的第二存储单元