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半导体PIE工程师笔试真题及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题只有一个正确答案，请将正确选项字母填入括号内）

1.在半导体制造中，用于去除晶圆表面自然氧化层和污染物的主要方法是？

A.离子注入

B.热氧化

C.化学机械抛光

D.湿法清洗

2.光刻工艺中，定义图形最小特征尺寸的关键因素通常是？

A.光源波长

B.镜头数值孔径

C.标准膜厚度

D.以上所有

3.在刻蚀工艺中，以下哪种类型刻蚀主要依赖于物理作用（如等离子体轰击）来去除材料？

A.干法刻蚀

B.湿法刻蚀

C.化学机械抛光

D.氧化

4.描述薄膜沉积后，薄膜厚度在晶圆表面的均匀性程度的参数是？

A.阶梯高度

B.窗口效应

C.均匀性

D.沉积速率

5.离子注入工艺中，用于补偿前道工序中掺杂浓度不均匀或进行特定功能层掺杂的主要方法是？

A.扩散

B.热氧化

C.离子注入

D.注入激活

6.在金属化工艺中，用于连接不同层金属互连，并确保良好导电性的结构是？

A.覆晶层

B.钻孔（Via）

C.栅极