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半导体工艺技术员笔试真题及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共30分。下列每题均有四个选项，请选出唯一正确的选项）

1.在半导体制造中，硅（Si）最常见的晶体结构是？

A.金刚石结构

B.石墨结构

C.晶体硅（金刚石型）

D.非晶态

2.PN结形成的主要物理过程是？

A.掺杂剂的扩散

B.载流子的漂移

C.扩散与漂移的平衡

D.半导体材料的结晶

3.光刻工艺中，将掩模版上的图形精确转移到晶圆表面的关键步骤是？

A.晶圆清洗

B.曝光

C.显影

D.图形蚀刻

4.在干法刻蚀中，等离子体主要起到的作用是？

A.洁净晶圆表面

B.沉积薄膜材料

C.切割硅片

D.产生高能粒子轰击并化学反应去除材料

5.CVD（化学气相沉积）工艺通常用于沉积哪种类型的薄膜？

A.金属膜

B.介电膜（如SiO2）

C.导电膜（如多晶硅）

D.半导体衬底

6.离子注入工艺中，影响注入离子最终在半导体中分布深度的关键参数是？

A.离子种类

B.注入能量

C.注入剂量

D.以上都