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半导体刻蚀工艺工程师笔试真题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.在半导体刻蚀工艺中，利用化学反应选择性地溶解被加工材料，而保护掩膜层不发生反应的刻蚀方式称为：

A.物理刻蚀

B.化学刻蚀

C.选择性刻蚀

D.干法刻蚀

2.下列哪种刻蚀技术通常采用等离子体作为主要能量来源，并能实现较高的刻蚀速率和较好的各向异性？

A.湿法化学刻蚀

B.等离子体增强化学刻蚀（PECVD）

C.等离子体刻蚀（如ICP、RIE）

D.热氧化

3.在ICP（电感耦合等离子体）刻蚀系统中，产生高密度等离子体的主要能量来源是：

A.热辐射

B.直流电源

C.电感线圈产生的电磁场

D.接地电极

4.在刻蚀设备中，用于固定晶圆并施加特定电压（如RF偏压）的部件称为：

A.阳极

B.阴极

C.等离子体chuck（压板）

D.离子源

5.以下哪个参数是衡量刻蚀均匀性的重要指标，表示晶圆上不同位置刻蚀深度的一致程度？

A.刻蚀速率

B.选择比

C.纵向均匀性

D.横向均匀性

6.刻蚀选择比是指被刻蚀材料刻蚀速率与