CN110970295A 栅极结构的形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110970295A

(43)申请公布日2020.04.07

(21)申请号201910924969.0

(22)申请日2019.09.27

(30)优先权数据

62/738,2062018.09.28US

16/526,5722019.07.30US

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹市

(72)发明人程仲良方子韦

(74)专利代理机构隆天知识产权代理有限公司72003

代理人聂慧荃闫华

(51)Int.Cl.

H01L21/28(2006.01)

权利要求书1页说明书8页附图14页

(54)发明名称

栅极结构的形成方法

(57)摘要

CN110970295A一种栅极结构的形成方法，其包括：形成沟槽于半导体基板上的层间介电层中，且沟槽露出半导体基板的上表面；形成界面层于沟槽的底部；形成介电层于沟槽中；形成功函数金属层于介电层上；原位形成氮化物层于沟槽中的功函数金属层上；进行钴的第一沉积工艺，以形成钴层于沟槽中；进行钴的第二沉积工艺，以增加沟槽

CN110970295A

CN110970295A权利要求书1/1页

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