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NDS9959双沟道增强型场效应晶体管特性与应用.pdfVIP

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  • 2026-05-08 发布于北京
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NDS9959双沟道增强型场效应晶体管特性与应用.pdf

    1996年2月

    N

    NDS9959双N沟道增强型场效应晶体管

    概述特性

    这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用National的专有2.0A，50V。R=0.3@VGS=10V度单元设计，

    DS(ON)

    度DMOS技术制造。这种度工艺特别优化以最小化导通电

    实现极低的RDS(ON)。在广泛使用的表面贴装封装中具有高

    阻，卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量功率和电流处理能力。

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