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p-GaN基铁电薄膜的微结构、光电性质及温度依赖性研究
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p-GaN基铁电薄膜的微结构、光电性质及温度依赖性研究
摘要:本文研究了p-GaN基铁电薄膜的微结构、光电性质及其温度依赖性。首先,通过原子力显微镜(AFM)和透射电子显微镜(TEM)等手段对薄膜的微结构进行了表征,发现薄膜具有均匀的晶粒结构和良好的结晶质量。其次,利用紫外-可见光吸收光谱和光致发光光谱研究了薄膜的光电性质,结果表明薄膜具有优异的光吸收性能和光致发光性能
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