CN119495679A 半导体结构及其形成方法 （浙江创芯集成电路有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119495679A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202311027556.5

(22)申请日2023.08.14

(71)申请人浙江创芯集成电路有限公司

地址311200浙江省杭州市萧山区经济技

术开发区建设三路733号

(72)发明人陈聪郭东谕李扬李平宋喆宏吴正隆

(74)专利代理机构上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31327

专利代理师潘彦君

(51)Int.Cl.

H01L23/544(2006.01)

H01L21/48(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图5页

(54)发明名称

半导体结构及其形成方法

(57)摘要

CN119495679A本说明书实施例提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述半导体结构包括：基底，包括多个芯片区域以及用于分隔各芯片区域的划片道，其中，所述划片道上形成有凹槽结构；测试结构，适于对所述芯片区域进行电性能测试，所述测试结构包括第一测试部和第二测试部，其中，所述第一测试部嵌入所述凹槽结构内，所述第二测试部位于所述第一测试部之上。采用上述

CN119495679A

CN119495679A权利要求书