CN119495684A 用于在堆叠电子集成电路的光子集成电路中屏蔽电磁干扰的方法及结构 (安华高科技股份有限公司).docxVIP

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  • 2026-05-06 发布于山西
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CN119495684A 用于在堆叠电子集成电路的光子集成电路中屏蔽电磁干扰的方法及结构 (安华高科技股份有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119495684A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202410853521.5

(22)申请日2024.06.28

(30)优先权数据

18/449,7282023.08.15US

(71)申请人安华高科技股份有限公司地址新加坡新加坡市

(72)发明人文卡特什·西塔拉姆

迈克·约翰·布鲁斯南

(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287

专利代理师林斯凯

(51)Int.Cl.

H01L23/552(2006.01)

H05K1/02(2006.01)

H05K1/18(2006.01)

H01L25/16(2023.01)

H01L25/00(2006.01)

权利要求书3页说明书10页附图5页

(54)发明名称

用于在堆叠电子集成电路的光子集成电路

中屏蔽电磁干扰的方法及结构

(57)摘要

CN119495684A本发明涉及用于屏蔽堆叠于电子集成电路EIC上的光子集成电路PIC中的电磁干扰的方法及结构。本发明通过采用穿过所述PIC的体硅衬底的通孔来解决电磁干扰问题。本发明还使用覆盖所述PIC体硅衬底的背侧的导电层,金属散热器可放置在所述背侧上。现在,所述通孔可制作从在所述PIC的一或多个金属层上为P

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