CN119495710A 一种高温自愈的复合硅碳电极及其制备方法 （扬州大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119495710A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202411694028.X

(22)申请日2024.11.25

(71)申请人扬州大学

地址225009江苏省扬州市大学南路88号

申请人中国兵器装备集团兵器装备研究所中国电子科技集团公司第十八研究所

(72)发明人丁建宁李绿洲刘佳兴张超王茜于智航刘省委井济民江瑶瑶魏俊峰熊元

(74)专利代理机构苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)32257

专利代理师李明

(51)Int.Cl.

H01M4/133(2010.01)

H01M4/134(2010.01)

H01M4/1393(2010.01)

H01M4/1395(2010.01)

H01M4/62(2006.01)

权利要求书1页说明书7页

(54)发明名称

一种高温自愈的复合硅碳电极及其制备方

法

(57)摘要

CN119495710A本发明属于锂离子电池负极材料技术领域，尤其涉及一种高温自愈的复合硅碳电极及其制备方法，包括铜箔，所述铜箔双面涂覆有负极活性层，所述负极活性层上通过超音速喷涂施加液态金属层，所述液态金属冷凝并压延在所述负极活性层的缝隙中；所述负极活性层由