CN119495638A 半导体结构及其形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119495638A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202411111630.6

(22)申请日2024.08.14

(30)优先权数据

63/532,4462023.08.14US

18/517,5772023.11.22US

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹

(72)发明人刘国俨林昭仪

(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理

有限公司11409

专利代理师章社杲李伟

(51)Int.Cl.

H01L21/768(2006.01)

H01L23/538(2006.01)

权利要求书2页说明书11页附图22页

(54)发明名称

半导体结构及其形成方法

(57)摘要

CN119495638A方法包括在半导体衬底上形成集成电路器件、形成贯穿半导体衬底的通孔、以及形成围绕通孔的伪图案。伪图案包括具有第一图案密度的第一多个伪图案和第二多个伪图案。第一多个伪图案位于通孔和第二多个伪图案之间。第二多个伪图案具有不同于第一图案密度的第二图案密度。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成

CN119495638A

CN119495638A权利要求书