CN119495680A 测试结构及测试方法 （中芯国际集成电路制造(上海)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119495680A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202311028637.7

(22)申请日2023.08.15

(71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

地址201203上海市浦东新区中国（上海）

自由贸易试验区张江路18号

(72)发明人胡梅丽何敏

(74)专利代理机构上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31327

专利代理师高静

(51)Int.Cl.

H01L23/544(2006.01)

H01L21/66(2006.01)

权利要求书3页说明书11页附图2页

(54)发明名称

测试结构及测试方法

(57)摘要

CN119495680A一种测试结构及测试方法，方法包括：晶体管结构，位于有源区中，包括位于基底顶部的栅极结构，以及位于栅极结构两侧的基底中的源极和漏极；源极插塞，位于源极上且与源极电连接；漏极插塞，位于漏极上；金属线，位于晶体管结构的上方、且位于源极插塞和漏极插塞的顶部上方，金属线包括待测金属线、源极互连线和漏极互连线，所述源极互连线和漏极互连线用于加载电流信号；测试信号线，位于所述源极互连线和漏极互连线的上方，所述测试信号线分别与所述源极互连线和漏极互连线相电连接，所述测试信号线用于量测电压信号，源