CN119495740A 一种高熵高镍单晶锂离子电池正极材料及其制备方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119495740A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202411682564.8

(22)申请日2024.11.22

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区（西区）

西源大道2006号

(72)发明人刘兴泉侯佳兵崔久治王心蕊胡强何泽珍

(74)专利代理机构电子科技大学专利中心51203

专利代理师甘茂

(51)Int.Cl.

H01M4/525(2010.01)

H01M4/505(2010.01)

H01M10/0525(2010.01)

权利要求书1页说明书6页附图4页

(54)发明名称

一种高熵高镍单晶锂离子电池正极材料及

其制备方法

(57)摘要

CN119495740A本发明属于锂离子电池技术领域，提供一种高熵高镍单晶锂离子电池正极材料及其制备方法，用以解决高镍的镍钴锰酸锂正极材料存在的诸多问题，完善其综合性能。针对高镍层状镍钴锰酸锂三元系正极材料的改性需求，本发明基于组合设计及组分比例设计提出高熵合金掺杂策略，同时在高熵合金掺杂的基础上结合制备工艺的严格设计，使高熵掺杂后正极材料呈现单晶形貌，具体分子表达式为：Li1+δ[Ni0.86±xCo0.04±x/2Mn0.