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- 2026-05-11 发布于北京
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2008年11月
tm
FGA50N100BNTD1000V,50ANPT‑沟槽IGBTCO‑PAK
一般描述特点
采用NPT技术的沟槽绝缘栅双极晶体管(IGBT)在导通和•高速开关
•低饱和电压:VC=60
开关特性方面表现出色,并且具有增强的雪崩鲁棒性。这E(sat)=2.5V@ICA•高输入阻抗
些器件非常适合用于感应加热(I‑H)应用。
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