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探索ZnO薄膜与ZnO基薄膜晶体管：从基础到前沿

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广阔领域中，ZnO薄膜凭借其独特而卓越的性能，占据着举足轻重的地位，吸引了科研人员的广泛关注和深入研究。ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料，室温下禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV。这种特殊的能带结构赋予了ZnO薄膜许多优异的物理性质，为其在众多领域的应用奠定了坚实基础。

从光电子器件领域来看，ZnO薄膜的高透明度和良好的光学性能使其成为制造透明导电电极的理想材料。在平板显示技术中，如液晶显示器（LCD）、有机发光二极管显示器（OLED），透明导电电极是