CN119497469A GaN基多光区LED芯片、照明灯具及制备方法 （佛山耐镭特光电技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119497469A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202411772246.0

(22)申请日2024.12.04

(71)申请人佛山耐镭特光电技术有限公司

地址528251广东省佛山市南海区桂城街

道科睿路18号半导体产业园1栋车间

楼401室

(72)发明人李文杰

(74)专利代理机构深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268

专利代理师潘芊颖

(51)Int.Cl.

H10H20/813(2025.01)

H10H20/01(2025.01)

权利要求书1页说明书7页附图1页

(54)发明名称

GaN基多光区LED芯片、照明灯具及制备方法

(57)摘要

CN119497469A本发明公开了GaN基多光区LED芯片、照明灯具及制备方法，该GaN基多光区LED芯片包括：衬底以及设置在衬底上的GaN基发光体；GaN基发光体上至少开设有一个环形隔离槽，环形隔离槽贯穿GaN基发光体的上表面及下表面，在环形隔离槽开设有若干个时，多个环形隔离槽在衬底上的正投影的轮廓逐渐减小、且自内向外依次套设开设；其中，GaN基发光体上任一环形隔离槽的槽壁相邻的区域为一个子发光区域，每一子发光区域被点亮时对应出射一个角度的光束，因此，可通过点亮不同的子发光