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2025上海交通大学874半导体物理与基础考研真题

一、选择题(每题3分，共30分)

1.关于半导体材料的能带结构，以下说法正确的是：

A.半导体的禁带宽度一定大于绝缘体

B.本征半导体在绝对零度时，导带中不存在电子

C.直接带隙半导体的电子跃迁不需要声子参与

D.硅是一种典型的直接带隙半导体材料

2.在平衡态非简并半导体中，费米能级的位置：

A.一定位于禁带中央

B.随温度升高向价带顶移动

C.受掺杂类型和浓度影响显著

D.与载流子的迁移率成正比

3.以下哪种散射机制在室温下对硅中电子迁移率的影响最为显著？

A.电离杂质散射

B.晶格振动散射（声子散射）

C.谷间散射

D.中性杂质散射

4.对于理想PN结，在正向偏置条件下，空间电荷区宽度将：

A.变宽

B.变窄

C.不变

D.无法确定，与掺杂浓度有关

5.金属-半导体接触形成欧姆接触的条件是：

A.金属功函数大于N型半导体功函数

B.金属功函数小于P型半导体功函数

C.形成反阻挡层或隧道效应显著

D.半导体掺杂浓度极低

6.MOSFET的阈值电压不取决于以下哪个因素？

A.栅氧化层厚度

B.衬底掺杂浓度

C.栅电极材料的功函数

D.漏源电压VDS

7.半导体材料的光吸收系数随入射光波长的增加而：

A.单调增加

B.单调减小

C.先增加后减小

D