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氧化锌共掺杂调控机制及薄膜晶体管性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子材料领域，氧化锌（ZnO）作为一种重要的宽禁带半导体材料，凭借其独特的物理化学性质，在众多领域展现出了巨大的应用潜力。氧化锌的晶体结构通常为六方纤锌矿结构，这种结构赋予了它一系列优异的本征特性。其禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV，具备良好的压电性能、化学稳定性以及较高的热稳定性。这些特性使得氧化锌在光电器件、传感器、生物医学、环境保护等领域得到了广泛的应用。

在光电器件方面，由于其对紫外光的良好响应特性，被大量应用于紫外探测器、发光二极管（LED）等的制造。基于氧化锌的紫外探测器