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基于4H-SiC的新型MOS结构设计.pdf

基于4H-SiC的新型MOS结构设计.pdf

    摘要

    SiC材料凭借其高导热性、高击穿电场、宽禁带和高电子饱和速率等优秀特

    性，以其独特而优越的电学性能在高频、高压、大功率的应用领域占有举足轻重的

    地位，尤其是电力电子应用领域，展现了其优异的材料特性。在近几年，虽然

    SiCMOSFET具有极大的市场优势和普遍的应用场景，但是SiCMOSFET仍然存在

    一些在一些设计和工艺上的技术瓶颈。首先，当SiCMOSFET应用于高压场景时，

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