CN119517844A 一种半导体器件及其制备方法 （粤芯半导体技术股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119517844A

(43)申请公布日2025.02.25

(21)申请号202510088780.8

(22)申请日2025.01.21

(71)申请人粤芯半导体技术股份有限公司

地址510700广东省广州市黄埔区凤凰五

路28号

(72)发明人苗良爽李国台张志敏夏泉龙彭雄

(74)专利代理机构北京超凡宏宇知识产权代理

有限公司11463

专利代理师徐彤

(51)Int.Cl.

H01L21/768(2006.01)

H01L23/528(2006.01)

H01L21/02(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图2页

(54)发明名称

一种半导体器件及其制备方法

(57)摘要

CN119517844A本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体加工技术领域，本申请的半导体器件的制备方法，包括提供晶圆，晶圆包括有效区域和边缘区域；在晶圆上依次形成第一介质层和第一金属布线层，第一金属布线层与晶片连接；在第一金属布线层上依次形成第二介质层和脱落层形成待布线结构，在形成脱落层时加热以释放第一金属布线层与第一介质层之间的应力碎裂形成颗粒，边缘区域的脱落层包裹颗粒形成剥离杂质；清洗待布线结构以清除剥离杂质；在待布线结构的上表面依次形成第