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半导体行业碳化硅衬底缺陷检测技术调研报告

一、碳化硅衬底缺陷的类型与影响

碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料，凭借高击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速率等优异特性，在新能源汽车、5G通信、光伏储能等领域展现出巨大应用潜力。然而，碳化硅晶体生长及衬底制备过程中不可避免会产生各类缺陷，这些缺陷严重制约着器件性能与良率提升，是行业规模化发展必须攻克的关键难题。

（一）晶体原生缺陷

位错

位错是碳化硅晶体中最常见的缺陷类型，主要包括刃型位错、螺型位错和混合位错。其中，螺型位错会导致器件反向漏电流增大，降低击穿电压；刃型位错则会引发载流子复合率上升，削弱器件导通能力。据行业统计，6英寸碳化硅衬底中位错密度通常在103-10?cm?2量级，部分高端产品可控制在102cm?2以下，但仍远高于硅基材料的位错水平。

层错

层错是碳化硅晶体结构中原子排列的面状缺陷，常见类型包括基平面层错（BFS）、转换层错（TSF）和插入型层错（ISF）。层错会在器件制备过程中不断扩展，形成微管缺陷，严重影响器件的可靠性。例如，在肖特基二极管中，层错会导致正向电压降升高，反向恢复时间延长；在MOSFET器件中，层错会引发阈值电压漂移，降低开关速度。

微管

微管是碳化硅晶体中的中空管状缺陷，直径通常在1-10μm之间，由螺型位错在生长过程中不断吸收空位形成。微管会直接导致器件击穿，是影响碳化硅器件良率的关键因