CN119538835A 用于沟槽肖特基结构的电子器件性能提升方法及装置 （浙江广芯微电子有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119538835A

(43)申请公布日2025.02.28

(21)申请号202510095707.3

(22)申请日2025.01.22

(71)申请人浙江广芯微电子有限公司

地址323000浙江省丽水市莲都区南明山

街道七百秧街122号

(72)发明人谢刚龚妮娜唐威

(74)专利代理机构镇江至睿专利代理事务所(普通合伙)32529

专利代理师王恒静

(51)Int.Cl.

G06F30/367(2020.01)

G06F30/373(2020.01)

G06F119/02(2020.01)

权利要求书3页说明书14页附图2页

(54)发明名称

用于沟槽肖特基结构的电子器件性能提升

方法及装置

(57)摘要

CN119538835A本发明公开了用于沟槽肖特基结构的电子器件性能提升方法及装置，涉及电子器件优化相关领域，该方法包括：根据待优化电子器件的性能状态信息构建性能优化目标函数；对N个沟槽肖特基结构部件进行可优化变量采集；以N个初始沟槽参数组合为起点进行候选解随机生成，获得M个初始候选解；进行性能模拟，采用目标函数进行性能模拟结果评价；根据搜索更新规则和M个初始性能偏差，迭代执行候选解的更新过程，直至获得满足器件期望性能的电子器件结构参数。解决了