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半导体技术开发合同

一、合同订立背景

随着全球半导体产业的技术迭代加速，7纳米及以下先进制程成为市场竞争的核心领域。甲方作为国内领先的半导体设计企业，为突破高端芯片自主化瓶颈，需引入具备国际先进水平的制程技术与研发经验；乙方作为拥有成熟7纳米制程解决方案的技术提供方，致力于通过技术合作拓展新兴市场。双方基于《中华人民共和国合同法》及《半导体产业发展规划（2021-2025年）》政策要求，经三年技术交流与试点合作，现就2025年度半导体技术联合开发达成一致。

甲方具备芯片架构设计与系统集成能力，拥有12项核心专利及年产能300万片的封装测试产线；乙方在FinFET晶体管结构、3D堆叠工艺等领域拥有47项国际专利，其7纳米技术已通过某国际头部企业验证，良率稳定在92%以上。本次合作旨在通过技术转移与联合研发，实现甲方28纳米至7纳米制程的跨越，预计2026年量产芯片将应用于人工智能服务器与自动驾驶域控制器，填补国内高端芯片市场空白。

二、合同标的与内容

（一）技术开发标的

核心技术转让

乙方提供7纳米逻辑芯片全套技术包，包括：

制程工艺文件：涵盖光刻、蚀刻、离子注入等42道关键工序参数，配套ASMLNXE:3400B光刻机操作指南；

设计工具链：包含SynopsysDesignCompiler2025版、CadenceInnovus布局布线软件及专属PDK（工艺设计套件）；