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CN119545867A 一种低导通电阻分裂栅功率mosfet结构和制造方法 （苏州聚谦半导体有限公司）.docxVIP

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  • 2026-05-12 发布于山西
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CN119545867A 一种低导通电阻分裂栅功率mosfet结构和制造方法 （苏州聚谦半导体有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119545867A

    (43)申请公布日2025.02.28

    (21)申请号202310994004.5

    (22)申请日2023.08.08

    (71)申请人苏州聚谦半导体有限公司

    地址215123江苏省苏州市苏州工业园区

    星湖街328号创意产业园21-A401-001单元

    (72)发明人黄子伦焦世龙

    (74)专利代理机构上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)31286

    专利代理师黄海霞

    (51)Int.Cl.

    H10D62/10(2025.01)

    H10D62/17(2025.01

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