CN120152322A 沟槽型mosfet的制备方法 （上海积塔半导体有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120152322A

(43)申请公布日2025.06.13

(21)申请号202510307539.X

(22)申请日2025.03.14

(71)申请人上海积塔半导体有限公司

地址201306上海市浦东新区中国（上海）

自由贸易试验区临港新片区云水路

600号

(72)发明人陈周宇赵文侠吴贤勇

(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限

公司44224

专利代理师成亚婷

(51)Int.Cl.

H10D30/01(2025.01)

H10D30/66(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

H10D62/8