摘要
半导体纳米晶由于量子限域效应展现出了与尺寸强相关的光电性质,通过调节产品
的尺寸、组分等因素,其发光范围可以覆盖整个可见光范围,是新型光电器件的理想材
料。其中材料组分对半导体纳米晶的能带结构和各种性质起着决定性作用,不同离子的
引入会显著改变其电子结构、载流子浓度、能带排列方式,进而影响其发光效率、荧光
寿命、电学和磁学性能。
阳离子交换法是半导体纳米晶中的阳离子在热力学和动力学的驱动下与溶液中的
离子进行交换来制备直接合成法难以制备的半导体纳米晶,交换过程中起始物的形状、
结
摘要
半导体纳米晶由于量子限域效应展现出了与尺寸强相关的光电性质,通过调节产品
的尺寸、组分等因素,其发光范围可以覆盖整个可见光范围,是新型光电器件的理想材
料。其中材料组分对半导体纳米晶的能带结构和各种性质起着决定性作用,不同离子的
引入会显著改变其电子结构、载流子浓度、能带排列方式,进而影响其发光效率、荧光
寿命、电学和磁学性能。
阳离子交换法是半导体纳米晶中的阳离子在热力学和动力学的驱动下与溶液中的
离子进行交换来制备直接合成法难以制备的半导体纳米晶,交换过程中起始物的形状、
结
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