金属磷化物半导体纳米晶的可控合成及光电性能研究.pdf

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摘要

金属磷化物半导体纳米晶凭借其环境友好性、宽光谱可调性及高载流子迁移率等特

性,成为近年材料领域热门研究对象。其形貌包括零维(量子点)、一维(纳米线/纳米

棒)、二维(纳米片)、三维(纳米花)结构及各种异质结构,不同的形貌结构赋予金

属磷化物不同的性质变化,成为优化该材料性能的重要方案。目前主流的溶剂热法、热

注入法等合成方法虽在金属磷化物纳米晶的合成上取得一定进展,然而,金属磷化物核

壳结构及二维材料(纳米片)的精准构筑及形貌调控仍存在难度,限制了该材料规模化

生产应用。针对上述研究

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