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第一章

重要术语解释：

突变结近似：认为从中性半导体区到空间电荷区的空间电荷密度有一个突然

的不连续。

内建电势差：热平衡状态下pn结内p区与n区的静电电势差。

耗尽层电容：势垒电容的另一种表达。

超突变结：一种为了实现特殊电容-电压特性而进行冶金结处高掺杂的pn结，

其特点pn结一侧的掺杂浓度由冶金结处开始下降。

势垒电容（结电容）：反向偏置下pn结电容。

线性缓变结：冶金结两侧的掺杂浓度可以有线性分布近似的pn结。

冶金结：pn结内p型掺杂与n型掺杂的分界面。

反偏：pn结的n区相对于p区加正电压，从而使p区与n区之间势垒的大

小超过热平衡状态时势垒的大小。

单边突变结：冶金结一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的pn结。

空间电荷区：冶金结两侧由于n区内施主电离和p区内受主电离而形成的带

净正电与负电的区域。

空间电荷区宽带：空间电荷区延伸到p区与n区内的距离，它是掺杂浓度与

外加电压的函数。

变容二极管:电容随外加电压的改变而改变的二极管。

知识点

学完本章后，读者应具备如下能力：

描述空间电荷区是怎样形成的。

画出零偏和反偏状态下pn结的能带图