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2025年长鑫存储技术岗在线试题真题+满分答案.doc

2025年长鑫存储技术岗在线试题真题+满分答案.doc

    2025年长鑫存储技术岗在线试题真题+满分答案

    一、单项选择题(共10题，每题2分)

    1.在DRAM存储单元中，用于存储电荷的元件是：

    A.晶体管

    B.电容器

    C.电阻器

    D.电感器

    2.3DNAND闪存通过堆叠多层存储单元提升容量，其核心优势是：

    A.降低单元间干扰

    B.减少光刻层数

    C.提高电子迁移率

    D.增加单元尺寸

    3.长鑫存储自主研发的Xtacking?技术主要用于：

    A.DRAM阵列优化

    B.逻辑与存储单元堆叠

    C.蚀刻工艺改进

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