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【2026】年功率半导体器件工程师招聘笔试考试试卷和答案

一、填空题（每空2分，共20分）

1.功率半导体器件中，MOSFET的导通电阻与沟道长度成反比，与沟道宽度成正比，与载流子迁移率成正比。

2.IGBT器件结合了MOSFET的高输入阻抗和双极型晶体管的大电流处理能力，其导通过程中存在电导调制效应。

3.SiCMOSFET的击穿电场强度约为SiC的10倍，禁带宽度约为Si的3倍，工作温度可高达600K。

4.功率器件的开关损耗主要由开通损耗、关断损耗和驱动损耗三部分组成。

5.功率半导体器件的热阻包括结到壳热阻、壳到散热器热阻和散热器到环境热阻。

二、简答题（每题10分，共3