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2026/5/15北京航空航天大学202教研室1BECIBIEICPNDGSBJT场效应管FETJFETGSDMOSFET

2026/5/15北京航空航天大学202教研室2内容组织二极管BJTFETNPNPNPJFETMOSNP耗尽增强NPNP1.组成结构2.原理条件,状态3.曲线-大信号曲线表达式4.小信号模型模型等效参数5.参数

2026/5/15北京航空航天大学202教研室31.5场效应晶体管（FET）分类：结型场效应管JFET绝缘栅型FET-金属－氧化物－半导体构成的绝缘栅场效应管MOSFET。1.5.1FET及其分类与BJT区别：FET：多子导电，单极型晶体管BJT：多子少子均导电，双极型晶体管。

2026/5/15北京航空航天大学202教研室4N基底：N型半导体PP两边是P区G(栅极)S(源极)D(漏极)JFET结构：导电沟道1.5.2JFET的结构、工作原理和特性

2026/5/15北京航空航天大学202教研室5NPPG(栅极)S源极D漏极N沟道结型场效应管JFET符号：DGS根据图标判断N或P沟道的方法：①找出沟道；②找到方向

2026/5/15北京航空航天大学202教研室6PNNG(栅极)S源极D漏极P沟道结型场效应管JFET符号：DGS

2026/5/15北京航空航天大学202教研室7NGSDVDSVGSNNIDVDS=0V时PP但当VGS较小时