CN119815888A 一种超结mos器件及其制备方法 （江西萨瑞半导体技术有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119815888A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202510287094.3

(22)申请日2025.03.12

(71)申请人江西萨瑞半导体技术有限公司

地址330000江西省南昌市临空经济区儒

乐湖大街955号临瑞青年公寓1号楼8

楼811室

(72)发明人余快黄宗源谢良玉黎赞芳

(74)专利代理机构南昌旭瑞知识产权代理事务

所(普通合伙)36150

专利代理师肖娜娜

(51)Int.Cl.

H10D30/66(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D30/01(2025.01)