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锑化物Ⅱ类超晶格界面结构及光谱特性研究.pdf

锑化物Ⅱ类超晶格界面结构及光谱特性研究.pdf

    摘要

    锑化物II类超晶格材料作为一种重要的红外光电材料，在材料物性方面具有宽光

    谱调制，吸收系数大，量子效率高等特点，在军事、遥感、环境、安全和工业领域等

    方面都得到了广泛应用。其中，超晶格的界面状态是影响超晶格晶体质量的关键因素。

    因此表征超晶格界面性质对于理解材料结构特性和光学性质具有重要意义。现有研究

    主要通过传统的透射电子显微镜来表征II类超晶格界面结构，但难以全面表征应变分

    布和内部电场特性。

    本文旨在研究锑化物II类超晶格InAs/InAsSb与InAs/I

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