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基于多目标遗传算法的极紫外光刻掩模缺陷补偿研究.pdf

基于多目标遗传算法的极紫外光刻掩模缺陷补偿研究.pdf

    摘要

    极紫外（EUV）光刻技术是目前国际上7nm及以下工艺节点芯片制造领域广泛采

    用的主流量产技术。理想的“零”缺陷光刻掩模无法制造，而缺陷的存在会严重影响

    曝光成像质量，因此对EUV光刻掩模缺陷进行补偿是EUV光刻不可或缺的关键技术。

    为了确保掩模设计方法的预测准确性和工艺稳健性，必须综合考虑空间像、光刻胶像

    以及实际制造中的各种约束和限制。以往缺陷补偿的研究大多数都是将多个目标函数

    通过加权的方式转化为单一目标函数来评估补偿的优劣，难以准确评估成像质量，因

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