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2025年薄膜材料与技术考试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种薄膜制备技术基于前驱体的表面自限性吸附反应？

A.磁控溅射

B.脉冲激光沉积（PLD）

C.原子层沉积（ALD）

D.电子束蒸发

答案：C

2.表征薄膜表面形貌时，扫描隧道显微镜（STM）与原子力显微镜（AFM）的主要区别在于：

A.STM依赖电子隧道电流，AFM依赖原子间力

B.STM分辨率更高，AFM只能观察绝缘体

C.STM适用于导电样品，AFM无此限制

D.STM可测三维形貌，AFM仅测二维

答案：C

3.用于半导体器件的SiO?栅氧化层，其厚度通常控制在：

A.0.1~1nm

B.1~10nm

C.10~100nm

D.100~1000nm

答案：B

4.薄膜生长过程中，Volmer-Weber模式（岛状生长）的典型特征是：

A.原子与衬底结合能远大于原子间结合能

B.原子与衬底结合能略大于原子间结合能

C.原子与衬底结合能小于原子间结合能

D.原子在衬底表面完全润湿

答案：C

5.以下哪种技术可用于定量分析薄膜的元素深度分布？

A.X射线光电子能谱（XPS）

B.二次离子质谱（SIMS）

C.拉曼光谱（Raman）

D.紫