CN120264828A 改善高温高湿反偏可靠性的半导体结构及其制备方法 （清纯半导体(宁波)有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120264828A

(43)申请公布日2025.07.04

(21)申请号202510328364.0

(22)申请日2025.03.19

(71)申请人清纯半导体（宁波）有限公司

地址315336浙江省宁波市慈溪市杭州湾

新区玉海东路136号42#栋

(72)发明人孙博韬吴帆正树修德琦

(74)专利代理机构北京聿宏知识产权代理有限

公司11372

专利代理师吴大建张高洁

(51)Int.Cl.

H10D62/10(2025.01)

H10D30/65(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D62/00(2025.01