1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 生活休闲
  5. 家居装修

缓解EUV掩模白板缺陷的图案布局补偿研究.pdf

缓解EUV掩模白板缺陷的图案布局补偿研究.pdf

    摘要

    极紫外（EUV）光刻技术目前已广泛应用于先进半导体芯片的研发，包括7纳米

    甚至更小的节点。然而，随着极紫外光刻技术不断向大规模生产方向发展，掩模缺陷

    一直是极紫外光刻掩模制造中的关键障碍，严重制约了芯片工艺良率的提升。因此，

    为了实现“零缺陷”掩模的制造，对缺陷进行补偿以缓解缺陷影响具有重要的研究意

    义。

    本文针对EUV掩模白板缺陷的补偿技术开展了掩模的仿真和布局补偿算法的研

    究，具体的研究结果如下：

    1.利用FDTD仿真研究了不同形貌的缺陷对近场反射的影响。

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >