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二维SnSe的声子散射及光电性能调控研究.pdf

二维SnSe的声子散射及光电性能调控研究.pdf

    摘要

    硒化锡（SnSe）作为第IV主族金属硫族化合物中的一员，以其独特的窄带

    隙结构在众多材料中脱颖而出，成为半导体领域的研究热点。它不仅具备优秀的

    高载流子迁移率的特性，还展现出了非凡的热电性能。尤为引人注目的是，硒化

    锡的带隙值介于1.0至1.4eV之间，这一独特性质为光电探测器等应用领域提供

    了广阔前景。但是，由于SnSe内部的本征空位缺陷会造成较强的声子散射，从

    而对光电探测器的性能造成不利的影响，因此本文尝试调控SnSe纳米片（NSs）

    的声子散射强度的来提

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