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InGaAs_InGaAsP半导体激光器外延生长技术研究.pdf

InGaAs_InGaAsP半导体激光器外延生长技术研究.pdf

    摘要

    近年来，市场对半导体激光器的需求显著提升，这一现象主要源于其出色的性能

    特征和多样化的应用场景。作为一种独特的激光器芯片材料，InGaAs/InGaAsP/InGaP

    体系因其能够有效克服InGaAs/GaAs/AlGaAs材料中AlGaAs氧化引发的器件效能衰

    退问题而备受瞩目。针对GaAs基生长InGaAsP和InGaP材料存在组分控制难度大以

    及As/P之间记忆效应等问题，本研究聚焦于1.06µm波段的InGaAs/InGaAsP/InGaP

    量子

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