原创力文档摘要
随着信息化时代的到来，集成电路制造技术发展日新月异。芯片制造产业的
发展一直遵循摩尔定律，通过提高光刻系统分辨率，进而缩小晶体管特征尺寸
提高集成电路集成度是半导体行业持续追求的目标。考虑到缩短曝光源波长是提
高分辨率的有效手段，目前，输出波长6.7nmGd靶激光等离子体是下一代极紫
外光刻的首选光源，但存在自吸收较强和转换效率较低等问题，无法满足商业生
产中对极紫外光源高输出功率的要求。基于此，本文开展低密度Gd靶极紫外辐
射与等离子体特性的研究相关工作，通过改变靶材参数以及
摘要
随着信息化时代的到来，集成电路制造技术发展日新月异。芯片制造产业的
发展一直遵循摩尔定律，通过提高光刻系统分辨率，进而缩小晶体管特征尺寸
提高集成电路集成度是半导体行业持续追求的目标。考虑到缩短曝光源波长是提
高分辨率的有效手段，目前，输出波长6.7nmGd靶激光等离子体是下一代极紫
外光刻的首选光源，但存在自吸收较强和转换效率较低等问题，无法满足商业生
产中对极紫外光源高输出功率的要求。基于此，本文开展低密度Gd靶极紫外辐
射与等离子体特性的研究相关工作，通过改变靶材参数以及
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