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理论研究含富电子辅助配体的深红至近红外发光Ir配合物.pdf

理论研究含富电子辅助配体的深红至近红外发光Ir配合物.pdf

    摘要

    深红至近红外（NIR）发射材料在军事、民用电信等领域，如有机发光二极

    管(OLED)、夜视可读显示器及生物成像等方面前景广阔，是当前研究热点。其

    中，具有八面体构型的磷光过渡金属配合物，特别是环金属化Ir(III)配合物，因

    能有效减轻器件的效率滚降问题，在OLED研究中价值颇高。为了获得高效的

    红移发射，一种有效手段是采用富电子辅助配体去构建配合物，实现对能隙及发

    光性能的调控。目前相关研究主要聚焦于实验方面，从理论上对其构效关系所做

    的研究相对较少，仍有很大探索空间。

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