CN119596632A 掩模优化方法、电子设备及计算机可读存储介质 （深圳国微芯科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119596632A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202411553645.8

(22)申请日2024.11.02

(71)申请人深圳国微芯科技有限公司

地址518000广东省深圳市南山区沙河西

路国实大厦

(72)发明人魏丽洁

(74)专利代理机构大连星河彩舟专利代理事务所(普通合伙)21263

专利代理师刘斌

(51)Int.Cl.

G03F1/36(2012.01)

G03F7/20(2006.01)

权利要求书4页说明书17页附图2页

(54)发明名称

掩模优化方法、电子设备及计算机可读存储

介质

(57)摘要

CN119596632A掩模优化方法、电子设备及计算机可读存储介质，属于半导体领域，为了解决局部和全局性能之间的非线性及权衡问题，技术要点是包括确定规则集；采样的金属层片段通过ILT引擎处理，生成准优化的连续透射掩模(CTM)，用于规则分布值初始化；使用光刻感知的指数自然进化策略优化规则分布值；优化后的规则分布值用于测试图形片段的生成次分辨率辅助特征(SRAF)和基于模型的光学邻近效应校正(OPC)，效果是能够

CN119596632A

CN119596632A权利要