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2.6A 55V 0.090欧姆沟道UltraFET功率MOSFET数据手册.pdf

HUFA75307T3ST

2001年12月

2.6A,55V,0.090欧姆,N沟道UltraFET功率特性

MOSFET•2.6A,55V•超低导通电阻,rDS(ON)=0.090Ω•二

这款N沟道功率MOSFET采用创新极管同时具有高速和软恢复特性•温度补偿

的UltraFET®工艺制造。这种先进的PSPICE®模型•热阻SPICE模型•峰值电流与脉冲宽

工艺技术实现了单位硅面积上最低的度曲线•UIS额定值曲线•相关文献‑TB334,“表面

导通电阻,从而达到卓越的性能。贴装元件焊接指南”

该器件能够在雪崩模式下

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