编制说明-碳化硅（SiC）功率半导体可靠性测试方法.docx

PAGE1

PAGE2

《碳化硅（SiC）功率半导体可靠性测试方法》团体标准

征求意见稿编制说明

一、任务来源

近年来，碳化硅功率半导体作为第三代半导体的核心代表，其发展深刻影响着电力电子技术的演进轨迹。与传统硅基器件相比，该材料凭借其宽禁带特性，展现出卓越的耐高压、耐高温能力以及优异的导热性能，为实现高效率、高功率密度的能量转换系统提供了物理基础。

技术演进方面，产业界和研发机构持续推动器件结构的创新。初期应用多以平面型结构为主，而后逐渐攻克了沟槽型结构的设计与制造难题，此举显著降低了器件的导通损耗，提升了开关频率与功率密度。与此同时，针对更高电压等级的应用需求，相关研发工作不