原创力文档摘要
氧化镓（GaO）是直接宽带隙半导体，室温下禁带宽度为4.9eV，广泛应用于
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日盲紫外探测器。本文基于β-GaO基紫外探测器的选择性响应开展理论和实验研究，
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采用溶胶-凝胶法制备掺杂β-GaO薄膜，探究Al、In单/共掺杂对于薄膜的晶体结构、
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