CN119596653A 用于套刻精度补偿的方法、设备和介质 （全智芯(上海)技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119596653A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202510142811.3

(22)申请日2025.02.10

(71)申请人全智芯（上海）技术有限公司

地址201306上海市浦东新区中国（上海）

自由贸易试验区临港新片区环湖西二

路888号C楼

(72)发明人请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名

(74)专利代理机构北京世辉律师事务所16093

专利代理师黄倩

(51)Int.Cl.

G03F7/20(2006.01)

H01L21/66(2006.01)

权利要求书2页说明书10页附图4页

(54)发明名称

用于套刻精度补偿的方法、设备和介质

(57)摘要

CN119596653A根据本公开的实施例提供了用于套刻精度补偿的方法、设备和介质。在该方法中，获取表征某一批次晶圆在曝光前的套刻精度分布的套刻精度图。基于该批次晶圆所使用的补偿最优值，确定该批次晶圆与多个候选权重值对应的多个套刻精度反馈值。随后，基于对应于该批次晶圆的套刻精度反馈值和套刻精度图，确定反馈权重的目标权重值。以此方式，可以确定出当前制程特征下的最优反馈权重。进一步地利用最优的反馈权重值可以确定更准确的套刻精度补偿值，从

CN119596653A

CN