原创力文档摘要
作为一种兼具微型化特征和高能量转换效率的光电装置，半导体激光器在光
辐射效率的提升、阈值电流的降低、以及工作可靠性的增强方面实现了显著优化，
但在提升发光效能、缩减阈值电流以及拓宽发射波长范围等方面，仍面临持续的
改进与优化的挑战。在此进程中，应变结构的InGaAs/GaAs量子阱材料以其广
泛的应用性和卓越的增益性能脱颖而出。然而其研究并非一帆风顺，特别是在高
In组分条件下，材料内部原子偏析现象诱发局域态的产生。针对高应变量子阱带
来的应变弛豫、局域态、PL光谱双峰等现象，我
摘要
作为一种兼具微型化特征和高能量转换效率的光电装置，半导体激光器在光
辐射效率的提升、阈值电流的降低、以及工作可靠性的增强方面实现了显著优化，
但在提升发光效能、缩减阈值电流以及拓宽发射波长范围等方面，仍面临持续的
改进与优化的挑战。在此进程中，应变结构的InGaAs/GaAs量子阱材料以其广
泛的应用性和卓越的增益性能脱颖而出。然而其研究并非一帆风顺，特别是在高
In组分条件下，材料内部原子偏析现象诱发局域态的产生。针对高应变量子阱带
来的应变弛豫、局域态、PL光谱双峰等现象，我
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