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半导体器件物理复习题

四．P-N结二极管

1．在P-N结外加正偏Va时，利用Vbi=VTln(NAND/ni2)导出N区和P区空间电荷区边缘处的少子浓度相关的边界条件是：

2.画出正偏电压下空间电荷区边缘附近过剩少数载流子分布图，指出少子浓度是按何种关系分布的。

3.假如硅P-N结，掺杂浓度是NA=2X1016cm-3，ND=5X1015cm-3，当T=300K时，外加正偏电压Va=0.610V。计算空间电荷区边缘处的少子浓度

4.少子空穴扩散电流密度的表达式是？少子电子扩散电流密度的表达式是？

少子空穴扩散电流：

少子电子扩散电流：

5.写出理想二极管电压－电流关系方程。

6．当二极管正偏时，在T=300K。分别计算电流变为原来的10倍、100倍时，正向电压的改变量是多少？（记住ln10=2.3，T=300K时的VT＝26mV）。

7.二极管正偏时，P-N结两侧的少子分布是：

P-N结两侧的过剩少子分布是：

8.少子存储电荷：

P型一侧少子电子单位面积存储电荷：

其中，为P型一侧的少子电子寿命；是少子电子扩散电流密度。

N型一侧少子空穴单位面积存储电荷：

其中，为N型一侧的少子空穴寿命；是少子空穴扩散电流密度。

9.单位面积扩散电容的定义：

，

单位面积扩散电容：