厦门大学 半导体器件物理复习题4.docVIP

理解MOS场效应晶体管的电流－电压方程：

当器件工作在线性区时（即时），NMOS器件漏极电流与电压的关系是：

其中是MOS器件的阈值电压；是漏－源电压；是栅－源电压，是器件宽度；是沟道长度（严格讲是沟道反型层的长度）；有时称MOS器件的宽长比；是单位面积氧化层电容。

当时，器件工作在深线性区。此时NMOS器件漏极电流与电压的关系是：

在工程上常利用方程（2）测量MOS器件的沟道载流子迁移率和阈值电压的大小。只要固定不变，给器件施加两个不同的测出所对应的漏极电流可得到方程组，即可求出所测器件的和。

例如：

假设被测器件参数为：。保持不变，当时，；时，。求和

解法1：

解法2：

单位面积电容时，该器件的栅氧化层厚度是多少：

解：

当器件工作在放大区时（或饱和区时，即），NMOS器件漏极电流与电压的关系是：

方程（3）在模拟电路设计中常会用到，用于放大器。

方程（1）（2）在数字电路设计中常会用到，用于开关或“0”、“1”信号的传输。

二．练习题

1.

求时，NMOS器件沟道处于耗尽状态时的最大耗尽区宽度。假定P型衬底的掺杂浓度；硅的介电常数：；电子电量。（保留2位小数）

2.

原始P型硅均匀掺杂浓度为，又进行了均匀的N型补偿掺杂。在时电子迁移率是。若外加电场，求漂移电流密度。（保留两位小数）

3.

一个理想N沟MOS器件参数如下：。当器件偏置在饱和区时，计算：加多电压才能保证漏极电