厦门大学 半导体器件物理复习题5.docVIP

双极型晶体管（以NPN晶体管为例）

1.双极晶体管的理想电流电压方程：

是集电极电流，是发射结电压，是热电压。

饱和电流：

是发射结面积。是基区单位面积掺杂浓度；是本征载流子浓度；平衡时基区的少子浓度是。式（1.2）不仅适用于基区均匀掺杂，也适用于基区非均匀的情况。如果基区是非均匀掺杂，则（1.2）式中的应该用电子扩散系数的平均有效值代替。用（1.2）式计算的典型值为之间。

式（1.1）给出了双极晶体管的集电极电流与发射结电压的函数关系，这一方程是描述双极晶体管电流－电压关系最重要的大信号特性。

考虑基区宽度调制效应时，

其中是厄利电压，为常数。

2.基区中的单位面积少子电量是三角形的面积乘以电子电量：

其中

是基区少子渡越基区的平均时间。

3.基区少子寿命：

4.共射正向电流放大倍数：

上式说明，当基区宽度达到最小值；基区与发射区的掺杂浓度的比值达到最小值时（或者说发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度时，即时），有最大值。集成电路中的管的的典型值一般为50～500，而管一般为10～100。

5.基区传输系数：

表示从发射区注入到基区的电子，经过基区后(在基区被空穴复合了一部分)最终到达集电区的电子数量的百分比（即从发射区注入到基区的载流子数占基区总电子数目之比值）。

6.发射效率：

称为发射极注入效率，(对NPN管来说)等同于从发射极注入到基极的电子电流与流过发射结的空穴、